Междисциплинарный ресурсный центр коллективного пользования "Современные физико-химические методы формирования и исследования материалов для нужд промышленности, науки и образования"
Определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы в структурах на основе чистых и легированных халькогенидных стекол: контактная емкость, область накопления заряда, постоянные зарядки контактных областей.
Разработана методика расчета функции распределения времен релаксации (ФРВР). Выявлено значительное влияние способа изготовления образцов и количества вводимой примеси на распределение релаксаторов в стеклообразных системах.
Исследованы температурно-частотные зависимости диэлектрических параметров МДП структур на основе оксида алюминия.
Обнаружено, что модификация ПЭВД трихлоридом фосфора приводит к заторможенности сегментальной подвижности в поверхностных слоях, связанной с увеличением межмолекулярного взаимодействия и рост стерических затруднений для кооперативных движений.
Введение органического наполнителя – крахмала (3% масс.) в объем полипропилена не влияет на частотную зависимость проводимости, и следовательно не меняет механизма переноса заряда.
Проведена сравнительная оценка эффективности разных режимов стандартных тестовых испытаний готовых изделий (корпусов) интегральных микросхем.
Оценена степень деградации параметров покрытия на основе эпоксидных композитов в результате старения, в том числе при воздействии повышенных температуры и относительной влажности.
Проведено исследование влияния степени адгезионного взаимодействия с подложкой на процесс структурообразования в композитном покрытии.
Показаны возможности метода широкополосной диэлектрической спектроскопии, который в последнее время широко используется для исследования электронных свойств разного рода систем, включая стеклообразные полупроводники.
